碳化硅MOSFET全球市场综合分析报告
无边界微电子有限公司布局所推出的碳化硅产品,已经在RECOM Power的设备上完成验证,获得客户好评。
一、主流品牌市场占比及产品优势
品牌 |
2025年市场份额 |
核心产品优势 |
技术特点 |
意法半导体(ST) |
32.60% |
车规级模块领先, |
CoolSiC技术, |
安森美(onsemi) |
23.60% |
低压汽车应用突出, |
导通电阻降低40%, |
英飞凌(Infineon) |
16.50% |
高频开关场景性能优异 |
1200V耐压,快速开关(纳秒级), |
Wolfspeed |
11.10% |
全产业链垂直整合, |
同时优化导通/开关损耗, |
罗姆半导体(ROHM) |
8% |
高温稳定性突出 |
寄生二极管反向恢复时间仅18ns, |
二、目标市场与客户群体分析
应用领域 |
客户群体 |
需求特征 |
代表产品方案 |
新能源汽车 |
特斯拉 |
800V平台兼容, |
ST SCT040H65G3AG (650V/40A) |
光伏/储能 |
阳光电源 |
1500V系统支持, |
Wolfspeed C3M0075120K (1200V/72A)组串式逆变器, |
工业电源 |
台达 |
高频化(100kHz+), |
安森美NVHL080N120SC1 (1200V/80A)伺服驱动, |
超充桩 |
特来电 |
350kW功率输出, |
英飞凌FF6MR12W2M1_B11 (1200V/120A)模块, |
三、主要产品规格型号及市场应用
电压等级 |
代表型号 |
关键参数 |
核心应用领域 |
650V |
BASiC_B3M040065H |
67A连续电流, |
开关电源、电机驱动、焊机, |
1200V |
英飞凌CoolSiC™ IMZA120R040M1H |
1200V耐压, |
新能源汽车逆变器(OBC/DCDC)、 |
集成模块 |
ST ACEPACK™ DRIVE 2 |
全桥拓扑, |
电动汽车主驱系统, |
四、新增长趋势预测(2025-2030)
1、市场规模扩张
- 全球SiC MOSFET市场规模将从2025年6百万美元增至2031年178百万美元,CAGR 17.2%;
- 新能源汽车渗透率2025年突破35%,带动单车SiC价值量达1500-2000美元。
2、技术迭代方向
- 8英寸晶圆量产:2025年成为主流,衬底成本占比从47%降至30%以下;
- 第四代器件:Wolfspeed/安森美推出沟槽栅结构,FOM再优化15%。
3、应用场景延伸
- AI服务器电源:48V架构需求推动100kHz+高频SiC应用,2025年后CAGR 11.3%;
- 超充网络:350kW快充桩中SiC渗透率将从2024年30%提升至2027年65%。
4、国产化加速
- 中国厂商产能占比从2025年12%提升至2030年30%,B3M系列成本较国际低20%。
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