碳化硅MOSFET全球市场综合分析报告

System Sep 11 19

无边界微电子有限公司布局所推出的碳化硅产品,已经在RECOM Power的设备上完成验证,获得客户好评。

 

一、主流品牌市场占比及产品优势

 

品牌

2025年市场份额

核心产品优势

技术特点

意法半导体(ST)

32.60%

车规级模块领先,
适配800V平台

CoolSiC技术,
开关损耗较硅基IGBT低70%,
雪崩鲁棒性优化

安森美(onsemi)

23.60%

低压汽车应用突出,
第四代沟槽结构MOSFET

导通电阻降低40%,
支持750V电源变换模块,
系统成本下降15%

英飞凌(Infineon)

16.50%

高频开关场景性能优异

1200V耐压,快速开关(纳秒级),
FOM优化70%,
适配工业电机驱动

Wolfspeed

11.10%

全产业链垂直整合,
第四代技术

同时优化导通/开关损耗,
支持175℃结温,
8英寸晶圆良率75%

罗姆半导体(ROHM)

8%

高温稳定性突出

寄生二极管反向恢复时间仅18ns,
适配光伏1500V系统

 

 

二、目标市场与客户群体分析

 

应用领域

客户群体

需求特征

代表产品方案

新能源汽车

特斯拉
比亚迪
蔚来

800V平台兼容,
5%续航提升,
15分钟快充80%

ST SCT040H65G3AG (650V/40A)
用于OBC,系统成本降低$200/车

光伏/储能

阳光电源
华为
SMA

1500V系统支持,
转换效率>99%,
降低LCOE

Wolfspeed C3M0075120K (1200V/72A)组串式逆变器,
减少电感体积30%

工业电源

台达
艾默生

高频化(100kHz+),
抗雪崩冲击,
175℃运行

安森美NVHL080N120SC1 (1200V/80A)伺服驱动,
损耗降低20%

超充桩

特来电
星星充电

350kW功率输出,
V2G双向功能

英飞凌FF6MR12W2M1_B11 (1200V/120A)模块,
充电效率达96%

 

 

三、主要产品规格型号及市场应用

 

电压等级

代表型号

关键参数

核心应用领域

650V

BASiC_B3M040065H

67A连续电流,
40mΩ导通电阻

开关电源、电机驱动、焊机,
适配300-1000Vdc充电模块

1200V

英飞凌CoolSiC™ IMZA120R040M1H

1200V耐压,
175℃结温

新能源汽车逆变器(OBC/DCDC)、
光伏逆变器(1500V系统),
效率>99%

集成模块

ST ACEPACK™ DRIVE 2

全桥拓扑,
集成NTC传感器

电动汽车主驱系统,
功率密度提升30%,
适配800V快充架构

 

 

四、新增长趋势预测(2025-2030)

 

1、市场规模扩张

  • 全球SiC MOSFET市场规模将从2025年6百万美元增至2031年178百万美元,CAGR 17.2%;
  • 新能源汽车渗透率2025年突破35%,带动单车SiC价值量达1500-2000美元。
  •  

2、‌技术迭代方向

  • 8英寸晶圆量产:‌2025年成为主流,衬底成本占比从47%降至30%以下;
  • 第四代器件:Wolfspeed/安森美推出沟槽栅结构,FOM再优化15%。
  •  

3应用场景延伸

  • ‌AI服务器电源‌:48V架构需求推动100kHz+高频SiC应用,2025年后CAGR 11.3%;
  • ‌超充网络‌:350kW快充桩中SiC渗透率将从2024年30%提升至2027年65%。
  •  

4国产化加速

  • 中国厂商产能占比从2025年12%提升至2030年30%,B3M系列成本较国际低20%。

 

 

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