TP65H070G4LSGB-TR-CN

TP65H070G4LSGB-TR-CN

制造商零件编号
TP65H070G4LSGB-TR-CN
产品分类
Single FETs, MOSFETs
制造商
ChipNobo
描述
GANFET N-CH 650V 29A DFN8x8
封装
DFN8x8
包装
Tape & Reel (TR)
制造商标准交期 :
10-12周
ROHS状态
YES
数据表
订单信息
标准包装数量 : 2500
数量
单价
价格
立即购买
数量
单价
合计
2500
$0.6464
$1,616.0000
7500
$0.5172
$3,879.0000
17500
$0.4137
$7,239.7500
62500
$0.3310
$20,687.5000
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产品属性
类型 描述
制造商 ChipNobo
系列 SuperGaN®
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 ACTIVE
封装 DFN8x8
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型 N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
功耗（最大） 96W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id 4.6V @ 700µA
制造商封装 DFN8x8
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
Vgs（最大） ±20V
漏源电压 (Vdss) 650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 600 pF @ 400 V